资源描述
中华人民共和國国家标准
电子元器件详细规范
3DG182型
髙频放大环境额定双极型晶体管
CB10272--8
Detail specification for electronic component
降为SJ/T1105396
Bipolar transistor for ambient-rated
high-frequency amplification of type 3DG18
(可供认证用)
本标准规定了3DG182型高频放大环境额定双极型晶体管的详细要求
本标准适用于3DG182型高频放大环境额定双极型晶体管。
本标准是按GB6217《高低频放大环境额定双极型晶体管空白详细规范》制订的,符合GB4936。1
半导体分立器件总规范》类的要求
中国电子元器件质量认证委员会标准机构是中国电子技术标准化研究所。
中华人民共和郎电子工业部18-04-22批准
1989-08-01实
GB10272--8
国
标
准
评定器件质量的根据
GB4986。1《半体分立器件总规范》
GB10272--88
3DG182型详细规范
订货资料:见本规范第7章
机说明
2说
外形标准:GB7681《半噚体分立器件外形尺す》中代号A3-02B高频放大用环瑺额定双极型晶体管
外形图及引出端识别
半导体材科:N型硅
封装,金禹(空腔)
2.54m-.89
应用、电子线路中作高频放大
R
质量定端别
类
3.C186
参考数据
700mw(T.
6C)
Ic 300MA
fr 50MHZ
VCEO--100V(3DG182A)
vexoン160V(3D(G182B)
200V(3DG182C)
Vexoン250V(3DG182D)
志:见本规范第6章
按本详细规范定合格的器件,其制造厂的有关资料。见合格产品一览夜。
GB」0272-88
4限(绝対量大氯定位)
涂非另有规定。Temb=25C
数
条文号
称
符号
单位
最小值最大值
环境温度
贮存温虔
℃
最大集电扱一基极宣流电压
3DG182A
3DG182B
3DG1820
8DG182D
250
最大集电极一发射极直流电压
3DG182A
3DG182B
150
30G182C
8DG182D
260
最大发射极一基极直流电压
V
3
最大集电极直流电流
耗散功率
4.7。2
最高有效(等效的〕结温
T耗散功率的绝对极限值
5电特性
检验要求见本规范第8章
特性和条件
数
值
条文号
除非另有规定,T-=25C符号
最小值最大位/单位「检验组珝
共发射极正向电流传输比
)
A2b
com
橙
黄
绿
120
GBオ2-83
续表
特性“和条件
数“值
条文号
符号
除非另有规定,T。b=2
-单位检验组别
最小值!最大
5.3。2
共发射极正向电流传揄比
hp(3)
VCE 20V
ic= 5NA
12
黄
録
27
紫
持征须率
50
MHZ
A4
Vcv
Ic- 20MA
樂魄极一基极歳止电流
A2b
Vcn=100v, I=0. DG182A
Vca= 150V, IR=0. 3DG182B
V
V,g=0,3DG182C
Vca=250V,Ik=0,3DG1821)
集电极-发射极敬止电流
A2b
Vcr=100V, Ip=0, 3DG
VCE=150V. IB=0. 3DG182B
V,IB=0,3D)G182C
VCE=250V, I3=0, 3DG182D
高温下的鑲电极一基极截止电流
CBO(2)
A
C2b
Taab=125℃
Vc=65V,Ig=0,3DG182
Vcn=100V, Ig=0, 3DG182B
ca=130V,g=,3DG182C
3D)G182D
发射极一基极截止电流
Vr=5V, Ic=0
B10272--88
特性和条悱
数值
单位检验组别
除菲另有規定,(T。a=25℃)
最小值」最大值
基极ー发射极电压
1.5
CE=10V
築电极一发射极饱和电压
VCES41)
A2b
!C= 200MA
18=20nA
s.12共基极输出电容
PF
VEB=10V
f=1MHZ.
结到环境的热阻
0.214c/mW
注:hv的允许测试误差为よ10%。
8标志
6.1器件上的标志
e.型号和质景类别(放在型号后面)
制造厂商标
c。.验批识别代码
d,认证合格标志(置用时)y
g分档(按本规范5,1条)。
8.2包装盒(袋)上的标志
。型号和质量类别
b。制造广名称和商标y
故验批识别代码
d认证合格标志(置用时)
e。brs分档(按本规范5,1条)
f"怕湿”等。
7订资料
型号
本翅范编号
hg分档r
d。其它。
8试条伴和检求
在本章中,除非另有规定,引用的条文号对成于GB4936,1的条文号,测试方法引自GB4936.1的
6、1,条
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