MEMSMEMS工艺设计工艺设计工艺设计工艺设计工艺设计工.pdf

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资源描述
主要内容
工艺材料
DIRE工艺
单晶硅
工艺流程设计
薄膜材料
MEMS工艺设计
口多晶硅,多晶绪硅
单芯片集成工艺
口氧化硅、化硅、碳化硅
口会属:T,A,Ni,Au,Cu,,
コ有机材料:光刻胺, Polyimide, Parylene,Su8
杨振川
其它材料
口玻璃,石英
碳化硅单品
北京大学微电子学研究院
コ种化镓,化皞镓,
微电子工艺基础
MEMS/NEMS工艺
DRIE
薄膜生长
コ氧化,外延
键合
Bosch process
m CVD: LPCVD. PECVD
口静电,热健合,共熔键合
コPVD:滅射,蒸发
ee ee e
コ电镀
LIGA
口旋涂
压印
材料属性调整
コ扩散
电火花,喷砂
注入
激光
口退火
图形转移
口光刻
コ干法刻蚀:RIE1D
口湿法腐蚀: Anisotropic, isotropic
DRIE
Surface roughness (lateral
etching)
Footing
发生 Footing问通的沟照片
Footing成,图示意图
Nulanovic, IMECE2002-33392
Anti-footing for SOG
Anti-footing for SOG
App
2
ag
Sidewall residue
Sidewall residue
di Pe waved tsis
ih) isnilropic Si ech to remove kia
工艺流程设计
工艺流程设计
流程实例
标准工艺
可行性
设计规则
兼容性
a Shallow trench etching
口单元库
口工艺兼容性
dSilicon/Glass anodic bol
定制工艺
沾污
单项实验
设备兼容性
流程设计
尽量简单
dopac
口减低成本
提高成品率
细节的优化
to
流程实例
流程实例
流程实例
??
加速度计
TX Xihu. yl M1 Trhmsilucerx' 99
T.H. Ti. cl al. IMTM. 2000
流程实例
流程实例
流程实例
E.C. Yaung et al Transducers.o
民例
流程实
流程实例
工艺细节
PR
Substratc
c.玻瑭键合、臧薄
.深刻释成结构
抢膜选
后深剡
工艺细节
工艺细节
工艺细节
准问题
也极利离
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