GB-T 4061—1983 硅多晶断面夹层化学腐蚀GB-T 4067—1999 金属材料电阻温度GB-T 4070—1996.pdf

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资源描述
免费标雅下載网(ww.recb.nel)
UDC69.782:548.2:620.193,4
中华人民共和国国築标准
GB4061~83
硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法
Polycrystalline sillicon-examination
method-assessment of sandwiches on
cross-section by chemical corrosion
1983-12-20发布
1984-12-01实施
線标准局批准
免费标雅下载网(www.freeby.net)
中华人民共和国国家标准
UDC69.732:548
2:820.1934
硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法
GB4061-83
Polycrystalline silicon-exa mination
method--assessment of sandwiches on
cross-section by chemical corrosion
本标准适用于三氯氢硅及四氯化硅氢还原在细硅芯上沉积砫多晶所生长出来的硅多晶棒。
1方法原理
原理
根据氢氟酸硝酸混合液对硅多晶断面氧化夹层及温度夹层腐蚀速率的差别。
方法
化学腐蚀法。
2试样制备
2.1取样部位
除在桥形硅多晶棒硅芯搭接处或者直的硅多晶棒离石墨よ头10mm-段外均可取样(如图1)
z细硅
不允许取
样部位
10 tre In
?1
国家标准局1983-12-20发布
1984-12-01实施
免费标雅下載网(ww.recb.nel)
GB4061-83
2.2试样尺寸
切取大于3mm厚的硅片磨平整。
3试样处理
2.3.1将试样置于优级纯HF:HNO3=1:4的視合酸液中沸腾腐蚀308。
e
2.3.2腐蚀后的硅片用水冲净观察断面。
检验方法
用肉眼观察硅片的腐蚀器夹层。
夹层评定
4.1氧化夹层一般为腐蚀網呈凹下去的夹层。
4.2温度夹层为腐蚀圈平坦的夹层
附加说明
本标准由中华人民共和国冶金工业郭提出。
本标准由峨囓半导体材料厂负责起草。
本标准主要起草人赵祖培。
中华人民共和国
家标准
硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法
GB4061-83
中国标准出版社出版
北京复外二.里河)
中国标准出版社印刷车间印刷
新华书店北京发行所发行各地新华护店经售
开本88012301/16印张1/4字数3,000
1984年7月第·版1984年7月第一次印刷
印数1-5,000
书号:15169·1-2439定价0.10元
标目7~-72
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