抛光对软磁盘芯片的影响.pdf

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资源描述
18
磁记录材料
1995年第3期
抛光对软磁盘芯片的影呴
天津艾字迪电子有限公司朱教
前言
磁盘经过充分的除尘之后,在ML-5000
(Ver.4,6)签定评估仪上分别分析测试其各
抛光在软磁盘的后加工中是仅次于原材自的电磁性能和BTH一一抛光测试门坎(根
料的重要因素。良好的抛光与低劣的抛光对据ML-5000仪的定义;BTH是指在芯片的
成品的品质改善有着决定性的作用,可以说磁道上进行漏码测试,当有十个不连续的漏
出色的抛光是能否稳定地生产出优质成品软码错误出现时的那个漏码值即为BTH。本项
磁盘的先决条件。为此各软盘厂家都十分重测试可以看出被测磁道或面上的幅度均匀程
视抛光工艺的质量控制,制定了许多各具特度)。BTH的测试步进选为二道(即每隔一
点的控制方法。但都是各有各的侧重,不很个磁道测试一次,每张盘片的每个面上测41
全面。我国目前有巨大的软磁盘生产能力,厂个磁道)。测试的内容有:1FTAA(00磁
家众多,因此有必要全面分析一下抛光的影道的平均信号幅度)、2FTAA(79磁道的
响作用,从而能更好地深入理解抛光工艺,为平均信号幅度)、RES(分辩率)、OVR(重
与之相应的质量控制提供依据。本文就是基写)、PS(峰值漂移)和BTH。
于这一点进行了众多的实验,分析了抛光对
测试完毕后,把同一组内的十张软磁盘
芯片的各种性能的改变情况,供广大同行业的同类型的电磁性能的测试结果相加后取算
人员参考
术平均值(比如把10张软磁盘的10个0面
实验部分及结果
2FTAA值加在一起取平均值)。BTH是以
面为单位,将同一组的10张盘片的同一面上
本实验的设计思路很简单:测试不抛光的全部被测磁道的BTH值取算术平均值
的芯片和抛光后的芯片的各种性能,对结果(10张芯片的同一面共测了410个磁道,于
进行分析、比较,从而找出抛光的影响作用。是就有410个BTH值),并按下式求出这
为了减小偶然性对结果的影响,本实验40个数值之间的标准偏差。
选择国外四个芯片制造商制造的八种不同批
号的芯片为原料进行。实验时在每一种批号
(T -
的芯片包装盒中间位置连续抽取30片(基
本保证原材料的情况一致),再将同一个批号式中:S一标准偏差
中的这30片芯片均匀地交又分成三组,每
n-所有被统计的数据数
组10片。其中第一组不抛光,直接装片;第
Tj一一第j个被统计的数据
二组用正常抛光条件抛光后再装片;最后一
下一整个被统计数的算术年均值
组用三倍于正常抛光的时间(其它条件不
最终将所有的数据列于表1中(表中的电
变)加强抛光后装片。然后三组未终焊的软磁性能均为与一级基准盘的相对值)。
1995年第3期
磁记录材料
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表1抛光对芯片影响数据
芯」抛光「 IF TAA(%)2FTAA(%)」RES(%)
OVR(%)
PS(%)
BTH(%)
BTH偏差
片」条件」0面「1面「0面「1面「0面1面「0面「1面「0面1面「0面」1面「0面1面
未抛93.0「98.9199.1-195.31115.4」100.7182.7」79.3186.090.092.8」93.01.211.4
种)常92-21105.8107.8106.5121.810.684,4「73.072.018.0193.2
93.9a.守1.3
强91.7105.51108.41108.51123.3106.7179.9172.875.085.0」93.193.910.9」1.
未抛1102.019.61103.493.4108.7197,7183.4192.1194.095.693.0191.81.2「1.7
种正常1051416.8?1310.6?1310.5?8268?0?1,?29192113
强抛「104.91104,4」11.2103.7111.9101.6184.0190.6「89.0191、093.092.2「1.2
未抛100.9110.4102.293.4「108
9「91.290.5「96.098.0
科正を10:7?102-910610019647719?920?50?9:8191:53828
强抛「102.9103.3」11.0103.8111.81102.3、80.9「8.5「90.092.092.292.82.0
未抛101.19.51102.2192-2108.4197.0181.789.8195.0
种正常1021036109.5102.811?101:7?75187183238830261.0「1.5
强抛102.1103.31108.9102.4111.710.8181.5189.5189.6192.892.092
未抛107.8113.398.6192.51101,890.494.61105.1111.0107.094.2194.51.4「1.3
?正常108.81210.279.3105.8199,810671050104.09,8.2[1:01.3
强抛1109.21114.01107.2101.11105.796.192.797.21105.09.0194.594.5」0.811
未抛1109.51114.210090.71101.5187.9100.61116.511.8111.0194.6」94.812.3「1.6
F
种)正1.6117.4106.5198.2104.6193.3196-110.3107.-01106.4194,9194
强抛11.711.91109.5102.81105.194.2196.61105.7106.0102.0195.1194.8
未抛1100.51101.1102.993.11108.4195.881.618.0「96.2110.-595,4195.6「0.711
G正常10.105.0101001s8:81s,49s08197.219419.0.7o.
强抱「100.91104.8109.41100.311.01100.1182.3「87.692.097.095.3195.90.8{1
未抛1101.0106.998,387.91106.,791.3183.5102.2102.21105.235.394.80.911.2
种)止105.0110.01108.5197.6111.294.6「78.
93.795.098.8」35.194.81.0「1.1
强抛101.6110.71109.9100,8111.398.7178.4「94,7190.4196.8194.994.810.811.3
实验结果的计论
度不是很大,其中有些明显,比如芯片B,芯
片F(S-0),以及大部分芯片的1面。而有些
、1FTAA(00道平均信号幅度)的又不明显,比如芯片E,无论哪一面都无明显
変化
的增輻。另外,在正常抛光和加强光之
为了明显起见,我们将不同芯片的FTAA的变化就更小了,这说明只要达到
FTAA值做出图1(图中
为未正常抛光的程度后,无论再增加光强度,其
抛芯片的数据;
为正常抛光的数1FTAA就基本不再变化了

为强抛光的数据。下同)
2、2FTA(79磁道平均信号幅度)的
从图1,我们可以看到,抛光后,芯片的
变化
I F TAA均有所提高,但是提高的整体幅<
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