GBT 4585-2004 交流系统用高压绝缘子的人工污秽试验.pdf

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ICS29,080,10
K48
中华人民共和国国家标准
GB/T4585-2004/IEC60507:1991
代替GB/T4585.1-1984,GB/T4585.2~-1991
交流系统用高压绝子的人工污秽试验
Artificial pollution tests on high-voltage insulators to be used on a c systems
(IEC60507:1991,IDT)
2004-05-14发布
2005-02-01实施
中国国家标准化管理委员会布
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GB/T4585~2004/IEC60507:1991
前言
本标准等同采用IEC60507:1991《交流系统用高压绝缘子的人工污秽试验》(英文版)。
为便于使用,本标准做了下列编辑性修改
a)用小数点“,”代替作为小数点的逗号“,”
b)刑除IEC60507:1991的前言
本标准代替GB/T4585.1-1984《交流系统用高压绝缘子人工污秽试验方法盐雾法》和
GB/T4585.2-1991《交流系统用高压绝缘子人工污秽试验方法固体层法》。
本标准与GB/T4585.1-1984和GB/T4585.2-1991相比主要变化如下
对试验设备的短路电流要求不同。GB/T4585.1和GB/T4585.2规定短路电流不小于10A,
而本标准规定短路电流与被试绝缘子爬电比距有关,当爬电比距在16mm/kV至25mm/kV
之间变化时,最小短路电流应在6A至15A之间变化才能满足要求;
本标准规定绝缘子盐雾法试验时应进行预处理(本标准的第10章),而GB/T4585.1无此
规定
GB/T4585.2规定的染污方法包括有定量涂刷法,而本标准未规定此方法。
GB/T4585.2规定染污的污液有两种,其中的惰性材料一为硅藻土,另一为硅藻土和高度分
散的二氧化硅。本标准规定的染污污液有两种,其中一种与GB/T4585.2相同,所含惰性材
料为硅藻土和高度分散二氧化硅,另一种所含惰性材料为高岭土(或砥石粉)。
本标准的附录A、附录B、附录C、附录D均为资料性附录。
本标准由中国电器工业协会提出。
本标准由全国绝缘子标准化技术委员会归。
本标准起草单位:西安电瓷研究所、武汉高压研究所、重庆大学
本标准主要起草人:李大楠、吴光亚、蒋兴良、丘志贤
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
GB/T4585.1--1984、GB/T4585.2-199
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GB/T4585-2004/IKC60507:1991
交流系统用高压绝缘子的人工污秽试验
第一节总则
范围
本标准适用于系统最高电压1kV~765kV范围内的交流系统用户外和暴露在污秽大气中的瓷和
玻璃绝缘子的工频耐受特性的测定
这些试验不能直接应用于涂油绝缘子和特殊型式的绝缘子(具有半导电釉的绝缘子或覆盖有任何
有机绝缘材料的绝缘子)
2目的
本标准的目的是规定适用于架空线路、变电站、牵引线路绝缘子以及套管的人工污秽试验程序。
3定义
为本标准的目的,规定了下列定义。
试验电压 test voltage
在整个试验期间连续地施加到绝缘子上的电压的方均根值
试验设备的短路电流(I) short- circuit current(I) of the testing plant
试品在试验电压下短路时由试验设备所供给的电流的方均根值。
绝缘子的爬电比距(Is) specific creepage distance(Ls) of an insulator
绝缘子的总爬电距离L除以试验电压与V3的积;它通常以mm/kV来表示。
绝缘子的形状因数(F) form factor of an insulator(F
形状因数是由绝缘子尺寸确定的。为了图解估算此形状因数,应将绝缘子圆周的倒数值(1/P)对
从绝缘子一端到所考虑点的局部爬电距离画出。
形状因数由这个曲线下的面积给出并按下式计算
盐度(S。) salinity(S。)
盐在自来水中的溶液的浓度,它由盐量除以溶液体积来表达;它通常以kg/m3来表示。
污秽层 pollution layer
由盐和惰性材料组成的绝缘子表面上的导电电解层。
在绝缘子上污秽层的电导按16.1条测量。
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GB/"T4585-~-2004/IEC60507:1991
污层电导率(K) layer conductivity
污层的电导与形状因数的乘积;它通常以S表示
附盐密度(SDD) salt deposit density(SDD)
沉积在绝缘子一给定表面(金属部分和胶合材料不计入此表面)上的盐量除以该表面的面积(见
16.2);它通常以mg/ecm2表示。
污秽度 degree of pollution
表征施加在被试绝缘子上的人工污秽的量(盐度、污层电导率、附盐密度)的值
基准盐度 reference salinity
表征某一试验所使用的盐度值
基准污层电导率 reference layer conductivity
表征某一试验所使用的污层电导率的数值;它定义为仅仅在进行电导测量时才带电的一绝缘子的
潮湿污层的电导率的最大值
3.12
基准附盐密度 reference salt deposit density
表征某一试验所使用的附盐密度的数值:它定义为从进行任一试验前污染了的绝缘子中选取的几
个绝缘子(或它的几个部分)上测得的附盐密度的平均值。
3.13
规定的耐受污秽度 specified withstand degree of pollution
绝缘子在相关的第11章或第19章规定的条件下,四次试验中至少有三次试验能耐受住规定试验
电压的绝缘子的基准污秽度。
最大耐受污秽度 maximum withstand degree of pollution
在相关的第11章或第19章规定的条件下,在规定的试验电压下四次试验中至少有三次试验能耐
受住的最高污秽度。
3,15
规定耐受电压 specified withstand voltage
施加到绝缘子上的试验电压,绝缘子在此试验电压和相关的第11章或第19章规定的条件下,四次
试验中至少有三次试验能耐受住规定的污秽度
16
最大耐受电压 maximum withstand voltage
在相关的第11章或第19章规定的条件下,四次试验中至少有三次试验能耐受住规定污秽度的最
高试验电压。
第二节一般试验要求
4试验方法
下列两种类型的污秽试验方法推荐为标准试验法
一盐雾法(第三节),使用此法时绝缘子遭受到一确定的环境污染;
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