中华人民共和国电子行业军用标准
FL596
SJ20175-92
半导体
分立器件3DG918型NP硅超高频
小功率晶体管
详细规范
Semiconductor discrete device
Detail specification for NPN silicon ultra-high frequency
low-power transistor of type 3DG918
1992-11-19发布
1993-05-01实施
中国电子工业总公司批准
中华人民共和国电子行业军用标准
半导体分立器件
3DG918型NPN硅超高频小功率晶体管
详细规范
SJ20175-92
Semiconductor discrete device
Detail speciflcation for NPN silicon ultra -high frequency
low-power transistor of type 3DG918
1范
1.1主题内容
本规范规定了3DG918型NPN硅超高频小功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。该种
器件按CJB33半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT
级)。
中国电子工业总公司1992-1-19发布
1993-05-01实施
SJ20175~-92
1.2外形尺寸
外形尺寸应符合GB7581《
半导体分立器件外形尺寸》中的A4-01B型及如下规定,见图
引出端极性:
1.发射极
2.基极
⊕I0.35kxO
3.集电极
4.管壳
A4-01B
D
符号
A
4,32
5.33
2.54
妫
1。01
0.407
0,508
∮D
5.84
4。53
4。95
0.921.0411.16
0.5
1.21
1.27
图1外形尺寸
S.J20175-92
1.3最大额定值
Ic
Ttp和T
A=25℃
Tc=25℃
(mw)
(mw)
(℃)
200
15
65~+200
注:1)TA>25℃时,按1.14mW/℃线性地降额。
2)T>25℃时,按1,71mW/℃线性地降额
1.4主要电特性(TA=25℃)
参
极限值
符号《单位
测试条件
最小值
最大值
Vee =10V
ic=0。5mA
Vcr=1. Ov
20
200
Ic=3m A
Ver=10v
Ic=LOMA
FT( MHZ
VCE==10V
1800
f=100MHZ
4MA
25
Ve:==10v
f=31. 8MH
Co〈pF)
VCR=10V Ir=0
f=1MH
(db)
VCE=6V,Ic=IMA
2,5mS
(db)
15
Ic= 6MA
200v
2引用文件
GB4587~-84
双极型晶体管测试方法GB7581-87半导体分立器件外形尺寸
GJB33~85半导体分立器件总规范
SJ20175-92
GJB128-86半导体分立器件试验方法
3要求
3.1详细要求
各项要求应按GJB33和本规范的规定。
3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。
3.2.1引出端材料和涂层
引出端材料应为柯伐。出端表面涂层应为镀金、镀锡或没锡。对引出端材料和涂层要求
选择或另有要求时,在合同或订单中应明确规定(见6)。
3.3标志
器件的标志应按GJB33的规定
4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。
4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定
4.3筛选(仅对GT和GCT级)
筛选应按GJB33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1进行,超过规定极限值
的器件不应接收。
测试或试验
筛
选
(见GJB33表2)
GT或CCT级
中间参数测试
Icpo和hx
8.功率老化
4.3.1条
9.最后测试
按本规范表1的A2分组;
△lcou=初始值的10%或5nA,取其较大者;
△kre=士20%
4.3.1功率老化条件
功率老化条件如下:
TA=25土3℃C
ven=10V
P=200mw
注,不允许器件上加散热器或强迫风冷
4.4质量一致性检验
质量一致性检验应按GJB33的规定进行。
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